BSS225H6327FTSA1
Tillverkare Produktnummer:

BSS225H6327FTSA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

BSS225H6327FTSA1-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 90mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89

Inventarier:

5690 Pcs Ny Original I Lager
12840990
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

BSS225H6327FTSA1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
90mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
45Ohm @ 90mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 94µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
131 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-SOT89
Paket / Fodral
TO-243AA
Grundläggande produktnummer
BSS225

Datablad och dokument

Datablad
BSS225
Datasheets
BSS225H6327FTSA1
HTML-Datasheet
BSS225H6327FTSA1-DG

Ytterligare information

Standard-paket
1,000
Andra namn
SP001047644
BSS225H6327FTSA1DKR
BSS225H6327FTSA1TR
BSS225H6327FTSA1CT

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
onsemi

MTB75N05HDT4

MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK

onsemi

NTJS4160NT1G

MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6

onsemi

NVS4409NT1G

MOSFET N-CH 25V 700MA SC70-3

infineon-technologies

AUIRFS4010

MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK