Tillverkare Produktnummer:
BSS126IXTSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSS126IXTSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 21mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3-5
Inventarier:
4729 Pcs Ny Original I Lager
12945948
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSS126IXTSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21mA (Ta)
rds på (max) @ id, vgs
500Ohm @ 16mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 8µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
1.4 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
21 pF @ 25 V
FET-funktion
Depletion Mode
Effektförlust (max)
500mW (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-SOT23-3-5
Paket / Fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grundläggande produktnummer
BSS126
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SP005425148
448-BSS126IXTSA1TR
448-BSS126IXTSA1DKR
448-BSS126IXTSA1CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STU60N55F3
MOSFET N-CH 55V 80A IPAK
IMBG120R045M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
IMBG120R350M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263
