Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
BSP316PL6327HTSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSP316PL6327HTSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 100 V 680mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Inventarier:
Förfrågan Online
12800075
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSP316PL6327HTSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
SIPMOS®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
680mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.8Ohm @ 680mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 170µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
146 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.8W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-SOT223-4-21
Paket / Fodral
TO-261-4, TO-261AA
Datablad och dokument
Datasheets
BSP316PL6327HTSA1
HTML-Datasheet
BSP316PL6327HTSA1-DG
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
BSP316PL6327INDKR
BSP316PL6327HTSA1TR
BSP316PL6327HTSA1DKR
BSP316PL6327
BSP316PL6327HTSA1CT
BSP316P L6327-DG
BSP316P L6327
BSP316PL6327XT
BSP316PL6327INCT
BSP316PL6327INTR-DG
BSP316PL6327INTR
BSP316PL6327INDKR-DG
BSP316PL6327INCT-DG
SP000089222
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
BSP316PH6327XTSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
32779
DEL NUMMER
BSP316PH6327XTSA1-DG
ENHETSPRIS
0.29
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPD90N04S404ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
IPD30N03S2L07ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IMZ120R090M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4
IPB80N04S204ATMA2
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3