BSP300L6327HUSA1
Tillverkare Produktnummer:

BSP300L6327HUSA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

BSP300L6327HUSA1-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 190mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21

Inventarier:

12830416
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

BSP300L6327HUSA1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
SIPMOS®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
190mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
20Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
230 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.8W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-SOT223-4-21
Paket / Fodral
TO-261-4, TO-261AA

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
1,000
Andra namn
BSP300L6327HUSA1TR
INFINFBSP300L6327HUSA1
BSP300L6327XT
BSP300 L6327
2156-BSP300L6327HUSA1-ITTR
BSP300 L6327-DG
SP000089201

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
nexperia

BUK9107-55ATE,118

MOSFET N-CH 55V 75A SOT426

nexperia

NX7002BKMYL

MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3

nexperia

BUK763R9-60E,118

MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK

nexperia

PSMN030-60YS,115

MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK56