Tillverkare Produktnummer:
BSP129E6327
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSP129E6327-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 240 V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventarier:
12828691
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSP129E6327 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
SIPMOS®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
240 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
350mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
0V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 108µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
5.7 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
108 pF @ 25 V
FET-funktion
Depletion Mode
Effektförlust (max)
1.8W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-SOT223-4
Paket / Fodral
TO-261-4, TO-261AA
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
SP000011102
BSP129INCT
BSP129INTR
BSP129
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
BSP129H6327XTSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
4926
DEL NUMMER
BSP129H6327XTSA1-DG
ENHETSPRIS
0.29
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DELNUMMER
STN1NK80Z
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
649
DEL NUMMER
STN1NK80Z-DG
ENHETSPRIS
0.42
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
PMZ250UN,315
MOSFET N-CH 20V 2.28A DFN1006-3
BUK9M43-100EX
MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK33
PSMN020-30MLCX
MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33