Tillverkare Produktnummer:
BSP125H6433XTMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSP125H6433XTMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventarier:
4900 Pcs Ny Original I Lager
12861660
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSP125H6433XTMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 94µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
6.6 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
150 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.8W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-SOT223-4
Paket / Fodral
TO-261-4, TO-261AA
Grundläggande produktnummer
BSP125
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
SP001058578
BSP125H6433XTMA1DKR
BSP125H6433XTMA1TR
BSP125H6433XTMA1CT
2156-BSP125H6433XTMA1
BSP125H6433XTMA1-DG
INFINFBSP125H6433XTMA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RJK0353DPA-WS#J0B
MOSFET N-CH 30V 35A WPAK
NP110N055PUJ-E1B-AY
TRANSISTOR
H7N1002LSTL-E
MOSFET N-CH 100V 75A 4LDPAK
