Tillverkare Produktnummer:
BSO080P03SHXUMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSO080P03SHXUMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 30 V 12.6A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Inventarier:
4973 Pcs Ny Original I Lager
12798547
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSO080P03SHXUMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12.6A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
8mOhm @ 14.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
136 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5890 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.79W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-DSO-8
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundläggande produktnummer
BSO080
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
SP000613798
BSO080P03S HCT
BSO080P03SH
BSO080P03SHXUMA1CT
BSO080P03S H-DG
BSO080P03SHXUMA1TR
BSO080P03S HDKR-DG
BSO080P03SHXUMA1DKR
BSO080P03S HCT-DG
BSO080P03S HTR-DG
BSO080P03S HDKR
BSO080P03S H
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSC018NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
AUIRF6218S
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
AUXAKF1405ZS-7P
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
