Tillverkare Produktnummer:
BSC190N15NS3GATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSC190N15NS3GATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 150 V 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventarier:
9937 Pcs Ny Original I Lager
12841979
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSC190N15NS3GATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
150 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
8V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
19mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2420 pF @ 75 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8-1
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSC190
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSC190N15NS3GATMA1TR
BSC190N15NS3G
BSC190N15NS3 GCT
BSC190N15NS3GATMA1DKR
BSC190N15NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
SP000416636
BSC190N15NS3 G-DG
BSC190N15NS3 GDKR
BSC190N15NS3 G
BSC190N15NS3GATMA1CT
BSC190N15NS3 GDKR-DG
BSC190N15NS3 GCT-DG
BSC190N15NS3 GTR
BSC190N15NS3 GTR-DG
BSC190N15NS3GATMA1CT-DGTR-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NTMFS4C13NT3G
MOSFET N-CH 30V 7.2A/38A 5DFN
SVD14N03RT4G
MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
NTMFS5H409NLT1G
MOSFET N-CH 40V 41A/270A 5DFN
