Tillverkare Produktnummer:
BSC120N03MSGATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSC120N03MSGATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 39A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Inventarier:
28843 Pcs Ny Original I Lager
12799703
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSC120N03MSGATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Ta), 39A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
12mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8-5
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSC120
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSC120N03MS G
BSC120N03MSGINTR
BSC120N03MSGATMA1DKR
BSC120N03MSGINTR-DG
BSC120N03MSGXT
BSC120N03MSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC120N03MSGINCT-DG
BSC120N03MSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC120N03MSG
BSC120N03MSGATMA1TR
BSC120N03MSGINCT
SP000311516
BSC120N03MSGINDKR-DG
BSC120N03MSGATMA1CT
BSC120N03MSGINDKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPC302N15N3X7SA1
MV POWER MOS
IPA65R600E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP
BSC032N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
