Tillverkare Produktnummer:
BSC110N15NS5SCATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSC110N15NS5SCATMA1-DG
Beskrivning:
TRENCH >=100V
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 150 V 76A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Inventarier:
6335 Pcs Ny Original I Lager
12988990
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
H6RF
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSC110N15NS5SCATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
OptiMOS™ 5
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
150 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
8V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
11mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 91µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2770 pF @ 75 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8-7
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
448-BSC110N15NS5SCATMA1TR
SP005561075
448-BSC110N15NS5SCATMA1CT
448-BSC110N15NS5SCATMA1DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPC313N10N3RX1SA2
TRENCH >=100V
CMS3400-HF
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
IMT65R030M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
