Tillverkare Produktnummer:
BSC100N06LS3GATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSC100N06LS3GATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Inventarier:
6323 Pcs Ny Original I Lager
12798324
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSC100N06LS3GATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta), 50A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
10mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 23µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3500 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8-5
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSC100
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSC100N06LS3 GTR
SP000453664
BSC100N06LS3 G-DG
BSC100N06LS3GATMA1DKR
BSC100N06LS3GATMA1TR
BSC100N06LS3 GDKR
BSC100N06LS3 GCT
BSC100N06LS3G
BSC100N06LS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC100N06LS3 G
BSC100N06LS3 GCT-DG
BSC100N06LS3 GTR-DG
BSC100N06LS3 GDKR-DG
BSC100N06LS3GATMA1CT
BSC100N06LS3GATMA1DKR-DGTR-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
AUIRF7478QTR
MOSFET N-CH 60V 7A 8SO
BSC052N03S G
MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
BSL302SNL6327HTSA1
MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6