Tillverkare Produktnummer:
BSC090N03LSGATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSC090N03LSGATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 13A/48A TDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 13A (Ta), 48A (Tc) 2.5W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Inventarier:
22735 Pcs Ny Original I Lager
12798526
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSC090N03LSGATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13A (Ta), 48A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 32W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8-5
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSC090
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSC090N03LSG
BSC090N03LSGINDKR-DG
BSC090N03LSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC090N03LSGINTR
BSC090N03LSGINCT-DG
BSC090N03LSGINTR-DG
BSC090N03LSGATMA1CT
BSC090N03LSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC090N03LSGINCT
BSC090N03LSGATMA1DKR
BSC090N03LSGXT
SP000275115
BSC090N03LSGINDKR
BSC090N03LS G
BSC090N03LSGATMA1TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
AUIRFZ44Z
MOSFET N-CH 55V 51A TO220
BSP297H6327XTSA1
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
AUIRFL024NTR
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
