Tillverkare Produktnummer:
BSC0906NSATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSC0906NSATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 63A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Inventarier:
10842 Pcs Ny Original I Lager
12798774
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSC0906NSATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Ta), 63A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
4.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8-6
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSC0906
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSC0906NSDKR
SP000893360
BSC0906NSCT
BSC0906NS-DG
BSC0906NSATMA1TR
BSC0906NSTR-DG
BSC0906NSCT-DG
BSC0906NSDKR-DG
BSC0906NS
BSC0906NSATMA1DKR
BSC0906NSATMA1CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSC020N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
AUIRLR3705Z
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
BSC022N03S
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON