Tillverkare Produktnummer:
BSC0901NSATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSC0901NSATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Inventarier:
32490 Pcs Ny Original I Lager
12842781
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSC0901NSATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
28A (Ta), 100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8-5
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSC0901
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSC0901NSCT-DG
BSC0901NSATMA1DKR
BSC0901NSTR
BSC0901NSATMA1CT
BSC0901NSDKR-DG
BSC0901NSDKR
BSC0901NSCT
BSC0901NS
BSC0901NSATMA1TR
BSC0901NSTR-DG
SP000800248
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NTMFS5H425NLT1G
MOSFET N-CH 40V 25A/118A 5DFN
NTBV30N20T4G
MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
NTMFS4933NT1G
MOSFET N-CH 30V 20A/210A 5DFN