Tillverkare Produktnummer:
BSC077N12NS3GATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSC077N12NS3GATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 120 V 13.4A (Ta), 98A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventarier:
28553 Pcs Ny Original I Lager
12798587
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSC077N12NS3GATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
120 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13.4A (Ta), 98A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
7.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 110µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5700 pF @ 60 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
139W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8-1
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSC077
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSC077N12NS3 GTR
BSC077N12NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC077N12NS3 GTR-DG
SP000652750
BSC077N12NS3 G-DG
BSC077N12NS3GATMA1TR
BSC077N12NS3 G
BSC077N12NS3 GCT-DG
BSC077N12NS3GATMA1DKR
BSC077N12NS3 GCT
BSC077N12NS3G
BSC077N12NS3 GDKR
BSC077N12NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC077N12NS3GATMA1CT
BSC077N12NS3 GDKR-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
AUIRLR2905
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
AUIRFR3607TRL
MOSFET N-CH 75V 80A DPAK
64-6006PBF
MOSFET N-CH 300V 46A TO247AC