Tillverkare Produktnummer:
BSC024NE2LSATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSC024NE2LSATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 25 V 25A (Ta), 110A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Inventarier:
5426 Pcs Ny Original I Lager
12801895
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSC024NE2LSATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
25 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
25A (Ta), 110A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 12 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 48W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8-5
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSC024
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSC024NE2LSCT
BSC024NE2LSDKR
BSC024NE2LSCT-DG
BSC024NE2LSATMA1TR
BSC024NE2LSTR-DG
BSC024NE2LS
BSC024NE2LSDKR-DG
BSC024NE2LS-DG
SP000756342
BSC024NE2LSATMA1CT
BSC024NE2LSATMA1DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSC0904NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
IPA65R1K5CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220
BSZ084N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
