Tillverkare Produktnummer:
BSC020N03LSGATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSC020N03LSGATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventarier:
18867 Pcs Ny Original I Lager
12826494
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSC020N03LSGATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
28A (Ta), 100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7200 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8-1
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSC020
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSC020N03LS G-DG
SP000237662
BSC020N03LSGATMA1TR
BSC020N03LS GDKR
SP000264746
BSC020N03LS GDKR-DG
BSC020N03LSGATMA1CT
BSC020N03LSGATMA1DKR
BSC020N03LS GTR-DG
BSC020N03LS GCT-DG
Q3390169
BSC020N03LS GCT
BSC020N03LS G
BSC020N03LSGXT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIL08N03-TP
MOSFET N-CH 30V 8A SOT23-6L
PSMN2R0-25MLDX
MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
