Tillverkare Produktnummer:
BSC018NE2LSIATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSC018NE2LSIATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 25 V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Inventarier:
9750 Pcs Ny Original I Lager
12798661
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSC018NE2LSIATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
25 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
29A (Ta), 100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 12 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8-6
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSC018
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSC018NE2LSIATMA1TR
BSC018NE2LSI-DG
BSC018NE2LSIDKR-DG
INFINFBSC018NE2LSIATMA1
BSC018NE2LSIATMA1DKR
BSC018NE2LSICT-DG
BSC018NE2LSIDKR
BSC018NE2LSITR-DG
BSC018NE2LSIATMA1CT
SP000906030
BSC018NE2LSI
2156-BSC018NE2LSIATMA1
BSC018NE2LSICT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
AUIRFN8405TR
MOSFET N-CH 40V 95A PQFN
BSC028N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
BSC009NE2LS5IATMA1
MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON
