Tillverkare Produktnummer:
BSC018N04LSGATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSC018N04LSGATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventarier:
32725 Pcs Ny Original I Lager
12835939
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSC018N04LSGATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Ta), 100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 85µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
12000 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8-1
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSC018
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
SP000388293
BSC018N04LS GDKR
BSC018N04LSGATMA1TR
BSC018N04LSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC018N04LSGATMA1DKR
BSC018N04LS G
BSC018N04LS GCT-DG
BSC018N04LS GTR-DG
BSC018N04LSGATMA1CT
BSC018N04LS GDKR-DG
BSC018N04LS G-DG
BSC018N04LSG
BSC018N04LS GCT
BSC018N04LSGATMA1DKR-DGTR-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FDZ4670
MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA
FDME410NZT
MOSFET N-CH 20V 7A MICROFET
AUIRF2805S
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
