Tillverkare Produktnummer:
BSC014NE2LSIATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSC014NE2LSIATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 25 V 33A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Inventarier:
18735 Pcs Ny Original I Lager
12799018
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSC014NE2LSIATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
25 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
33A (Ta), 100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 12 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 74W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8-7
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSC014
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSC014NE2LSIATMA1TR
BSC014NE2LSIDKR
BSC014NE2LSICT-DG
BSC014NE2LSITR-DG
SP000911336
BSC014NE2LSI-DG
INFINFBSC014NE2LSIATMA1
BSC014NE2LSI
BSC014NE2LSIATMA1CT
BSC014NE2LSICT
2156-BSC014NE2LSIATMA1
BSC014NE2LSIDKR-DG
BSC014NE2LSIATMA1DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSO303SPNTMA1
MOSFET P-CH 30V 8.9A 8DSO
BSS314PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
BSS7728NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
