Tillverkare Produktnummer:
BSC012N06NSATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSC012N06NSATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 36A (Ta), 306A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
Inventarier:
12832836
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSC012N06NSATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
36A (Ta), 306A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 147µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11000 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
214W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TSON-8-3
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSC012
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSC012N06NSATMA1DKR
SP001645312
BSC012N06NSATMA1TR
BSC012N06NSATMA1-DG
BSC012N06NSATMA1CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
2SK3748
MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PML
PMPB23XNE,115
MOSFET N-CH 20V 7A DFN2020MD-6
BUK762R6-60E,118
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
