Tillverkare Produktnummer:
BSB056N10NN3GXUMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSB056N10NN3GXUMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 9A (Ta), 83A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Inventarier:
11611 Pcs Ny Original I Lager
12802534
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSB056N10NN3GXUMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Ta), 83A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
5.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 100µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5500 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / Fodral
3-WDSON
Grundläggande produktnummer
BSB056
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSB056N10NN3 G-DG
BSB056N10NN3 GDKR-DG
BSB056N10NN3 GDKR
BSB056N10NN3 G
BSB056N10NN3 GCT
2156-BSB056N10NN3GXUMA1TR
BSB056N10NN3GXUMA1TR
BSB056N10NN3G
BSB056N10NN3 GTR-DG
BSB056N10NN3 GCT-DG
SP000604540
BSB056N10NN3GXT
BSB056N10NN3GXUMA1CT
BSB056N10NN3GXUMA1DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPU80R1K4CEAKMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
IRF6216TRPBF
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
IRF7210PBF
MOSFET P-CH 12V 16A 8SO