IRFD112
Tillverkare Produktnummer:

IRFD112

Product Overview

Tillverkare:

Harris Corporation

DiGi Electronics Delenummer:

IRFD112-DG

Beskrivning:

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 800mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-DIP, Hexdip

Inventarier:

1371 Pcs Ny Original I Lager
12933649
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRFD112 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
800mA (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
800mOhm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
135 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
4-DIP, Hexdip
Paket / Fodral
4-DIP (0.300", 7.62mm)

Datablad och dokument

Datablad
IRFD113

Ytterligare information

Standard-paket
807
Andra namn
2156-IRFD112
HARHARIRFD112

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FDB7045L

N-CHANNEL POWER MOSFET

harris-corporation

IRF647

N-CHANNEL POWER MOSFET

harris-corporation

IRF711

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

HUF76129D3S

N-CHANNEL POWER MOSFET