HUF76129P3
Tillverkare Produktnummer:

HUF76129P3

Product Overview

Tillverkare:

Harris Corporation

DiGi Electronics Delenummer:

HUF76129P3-DG

Beskrivning:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 56A (Tc) 105W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventarier:

24454 Pcs Ny Original I Lager
12933383
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

HUF76129P3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
UltraFET™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
16mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
105W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3

Datablad och dokument

Datablad
Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
365
Andra namn
2156-HUF76129P3
HARHARHUF76129P3

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
texas-instruments

TPIC5621LDW

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

HUF76009P3

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

HUF76143S3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

harris-corporation

HUF76121S3

N-CHANNEL POWER MOSFET