Tillverkare Produktnummer:
GT6K2P10IH
Product Overview
Tillverkare:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
GT6K2P10IH-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 1A (Tc) 1.4W (Tc) Surface Mount SOT-23-3
Inventarier:
15000 Pcs Ny Original I Lager
12977638
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
GT6K2P10IH Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Goford Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
SGT
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
670mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Vgs (max)
±20V
FET-funktion
Standard
Effektförlust (max)
1.4W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-23-3
Paket / Fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
4822-GT6K2P10IHTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0000
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TPH9R00CQH,LQ
UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
FDS9435ANBAD008
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
RD3U041AAFRATL
MOSFET N-CH 250V 4A TO252
