Tillverkare Produktnummer:
GT025N06AM
Product Overview
Tillverkare:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
GT025N06AM-DG
Beskrivning:
N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 170A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventarier:
791 Pcs Ny Original I Lager
12997602
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
GT025N06AM Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Goford Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
SGT
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5119 pF @ 30 V
FET-funktion
Standard
Effektförlust (max)
215W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
4822-GT025N06AMTR
3141-GT025N06AMDKR
3141-GT025N06AMCT
3141-GT025N06AMTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
GT025N06AM
Tillverkare
Goford Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
8000
DEL NUMMER
GT025N06AM-DG
ENHETSPRIS
0.66
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
GT025N06AM
MOSFET N-CH 60V 170A TO-263
GT035N10T
N100V,190A,RD<3.5M@10V,VTH2.0V~4
GT007N04TL
N40V,150A,RD<1.5M@10V,VTH1.0V~2.
