Tillverkare Produktnummer:
GC11N65F
Product Overview
Tillverkare:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
GC11N65F-DG
Beskrivning:
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 38.5W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventarier:
145 Pcs Ny Original I Lager
12978211
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
GC11N65F Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Goford Semiconductor
Förpackning
Tube
Serie
Cool MOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
901 pF @ 50 V
FET-funktion
Standard
Effektförlust (max)
38.5W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220F
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
4822-GC11N65F
3141-GC11N65F
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
