Tillverkare Produktnummer:
G65P06D5
Product Overview
Tillverkare:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
G65P06D5-DG
Beskrivning:
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 60 V 65A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
Inventarier:
12975178
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
G65P06D5 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Goford Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5814 pF @ 25 V
FET-funktion
Standard
Effektförlust (max)
104W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-DFN (4.9x5.75)
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
3141-G65P06D5TR
4822-G65P06D5TR
3141-G65P06D5DKR
3141-G65P06D5CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
2N7002KM-TP
N-CHANNEL MOSFET SOT-723
MCG25P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET,DFN3333
RQ7G080BGTCR
NCH 40V 8A, TSMT8, POWER MOSFET