Tillverkare Produktnummer:
G30N02T
Product Overview
Tillverkare:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
G30N02T-DG
Beskrivning:
N20V,RD(MAX)<[email protected],VTH0.5V~1.
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 30A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220
Inventarier:
12978363
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
G30N02T Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Goford Semiconductor
Förpackning
Tube
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V
rds på (max) @ id, vgs
13mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max)
±12V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 10 V
FET-funktion
Standard
Effektförlust (max)
40W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
3141-G30N02T
4822-G30N02T
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
