G29
Tillverkare Produktnummer:

G29

Product Overview

Tillverkare:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

G29-DG

Beskrivning:

MOSFET P-CH 15V 4.1A SOT-23
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 4.1A (Tc) 1.05W (Tc) Surface Mount SOT-23

Inventarier:

200000 Pcs Ny Original I Lager
12978217
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

G29 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Goford Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
2.5V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
30mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Vgs (max)
±12V
FET-funktion
Standard
Effektförlust (max)
1.05W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-23
Paket / Fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
4822-G29TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
goford-semiconductor

G60N04K

N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@

goford-semiconductor

G60N04K

MOSFET N-CH 40V 60A TO-252

goford-semiconductor

06N06L

N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M

goford-semiconductor

G2312

N20V,RD(MAX)<18M@10V,RD(MAX)<20M