Tillverkare Produktnummer:
G28N03D3
Product Overview
Tillverkare:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
G28N03D3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 28A (Tc) 23W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)
Inventarier:
10000 Pcs Ny Original I Lager
13001012
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
G28N03D3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Goford Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
12mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (max)
±20V
FET-funktion
Standard
Effektförlust (max)
23W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-DFN (3.15x3.05)
Paket / Fodral
8-PowerVDFN
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
4822-G28N03D3TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FDMT800120DC-22897
FET 120V 4.2 MOHM PQFN88
TSM80N950CP
800V, 6A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TP65H050G4BS
650 V 34 A GAN FET
