Tillverkare Produktnummer:
G2014
Product Overview
Tillverkare:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
G2014-DG
Beskrivning:
N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<11M
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 14A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventarier:
2960 Pcs Ny Original I Lager
13000887
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
G2014 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Goford Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
2.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
7mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
17.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±12V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1710 pF @ 10 V
FET-funktion
Standard
Effektförlust (max)
3W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
6-DFN (2x2)
Paket / Fodral
6-WDFN Exposed Pad
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
3141-G2014DKR
4822-G2014TR
3141-G2014CT
3141-G2014TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NTMFS5C645NT1G
60 V 4.5 M 94 A SINGLE N CHANNEL
G40P03K
P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)<
MSCSM120SKM31CTBL1NG
PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
