Tillverkare Produktnummer:
G16P03S
Product Overview
Tillverkare:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
G16P03S-DG
Beskrivning:
P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 30 V 16A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventarier:
3090 Pcs Ny Original I Lager
12999648
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
G16P03S Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Goford Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 15 V
FET-funktion
Standard
Effektförlust (max)
3W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOP
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
4822-G16P03STR
3141-G16P03SDKR
3141-G16P03STR
3141-G16P03SCT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
DMTH10H015SK3Q-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
G3404B
N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
TSM7P06CP
-60V, -7A, SINGLE P-CHANNEL POWE
