Tillverkare Produktnummer:
G10N10A
Product Overview
Tillverkare:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
G10N10A-DG
Beskrivning:
N100V,RD(MAX)130MOHM@10V,TO-252
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 28W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventarier:
4794 Pcs Ny Original I Lager
12986870
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
G10N10A Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Goford Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
130mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
690 pF @ 25 V
FET-funktion
Standard
Effektförlust (max)
28W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
4822-G10N10ATR
3141-G10N10ADKR
3141-G10N10ACT
3141-G10N10ATR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQD15N06-42L_T4GE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
G15N06K
N-CH, 60V,15A,RD(MAX)<45M@10V,RD
MCAC38N10YA-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN5060
