Tillverkare Produktnummer:
G10N03S
Product Overview
Tillverkare:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
G10N03S-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 10A SOP-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 10A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventarier:
13000386
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
G10N03S Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Goford Semiconductor
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
12mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (max)
±20V
FET-funktion
Standard
Effektförlust (max)
2.5W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOP
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
4822-G10N03STR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
G10N03S
Tillverkare
Goford Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3730
DEL NUMMER
G10N03S-DG
ENHETSPRIS
0.11
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQJA20EP-T1_BE3
N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
DMT8008SK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
DMNH15H110SPS-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
