G100N03D5
Tillverkare Produktnummer:

G100N03D5

Product Overview

Tillverkare:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

G100N03D5-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 30V 100A DFN5*6-8L
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)

Inventarier:

20000 Pcs Ny Original I Lager
12987124
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

G100N03D5 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Goford Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (max)
±20V
FET-funktion
Standard
Effektförlust (max)
50W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-DFN (4.9x5.75)
Paket / Fodral
8-PowerTDFN

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
5,000
Andra namn
4822-G100N03D5TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SQS141ELNW-T1_GE3

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)

vishay-siliconix

SIR4608LDP-T1-GE3

N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE

diodes

DMNH6010SCTB-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R

diodes

DMN6069SFVW-7

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333