Tillverkare Produktnummer:
G08N06S
Product Overview
Tillverkare:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
G08N06S-DG
Beskrivning:
N60V, RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 5A (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventarier:
7770 Pcs Ny Original I Lager
12987540
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
G08N06S Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Goford Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
30mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
979 pF @ 30 V
FET-funktion
Standard
Effektförlust (max)
2.1W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOP
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
3141-G08N06SDKR
4822-G08N06STR
3141-G08N06STR
3141-G08N06SCT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
MMFTP84K-AQ
MOSFET SOT23 P -60V -0.18A 10OHM
SIHH250N60EF-T1GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
18N20
MOSFET N-CH 200V 18A TO-252