Tillverkare Produktnummer:
G05N06S2
Product Overview
Tillverkare:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
G05N06S2-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 60V 5A (Tc) 3.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Inventarier:
20000 Pcs Ny Original I Lager
12988196
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
G05N06S2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Goford Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
FET-funktion
Standard
Tömning till källspänning (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5A (Tc)
rds på (max) @ id, vgs
35mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1374pF @ 30V
Effekt - Max
3.1W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
8-SOP
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundläggande produktnummer
G05N
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
4822-G05N06S2TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF40H233ATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 65A 8TDSON
FF1MR12KM1H
MOSFET
DMN5L06VKQ-13
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
