Tillverkare Produktnummer:
60N06
Product Overview
Tillverkare:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
60N06-DG
Beskrivning:
N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventarier:
2233 Pcs Ny Original I Lager
13000441
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
60N06 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Goford Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
17mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2050 pF @ 30 V
FET-funktion
Standard
Effektförlust (max)
69W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252 (DPAK)
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
3141-60N06DKR
3141-60N06CT
3141-60N06TR
4822-60N06TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
G6P06
P60V,RD(MAX)<96M@-10V,RD(MAX)<14
DMTH4014LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
TSM80N950CH
800V, 6A, SINGLE N-CHANNEL POWER
