Tillverkare Produktnummer:
5N20A
Product Overview
Tillverkare:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
5N20A-DG
Beskrivning:
N200V,RD(MAX)<650M@10V,VTH1V~3V,
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 5A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventarier:
1932 Pcs Ny Original I Lager
12999019
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
5N20A Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Goford Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
580mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
10.8 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
255 pF @ 25 V
FET-funktion
Standard
Effektförlust (max)
78W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252 (DPAK)
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
3141-5N20ACT
3141-5N20ATR
3141-5N20ADKR
4822-5N20ATR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TSM1NB60CH
600V, 1A, SINGLE N-CHANNEL POWER
SIR5112DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
IXFA26N65X3
DISCRETE MOSFET 26A 650V X3 TO26
