GCMX040B120S1-E1
Tillverkare Produktnummer:

GCMX040B120S1-E1

Product Overview

Tillverkare:

SemiQ

DiGi Electronics Delenummer:

GCMX040B120S1-E1-DG

Beskrivning:

SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 57A (Tc) 242W (Tc) Chassis Mount SOT-227

Inventarier:

80 Pcs Ny Original I Lager
13311494
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

GCMX040B120S1-E1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
SemiQ
Förpackning
Tube
Serie
-
Emballage
Tube
Status för delar
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiCFET (Silicon Carbide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
20V
rds på (max) @ id, vgs
52mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
121 nC @ 20 V
Vgs (max)
+25V, -10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3185 pF @ 1000 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
242W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Chassis Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-227
Paket / Fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Grundläggande produktnummer
GCMX040

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
10
Andra namn
1560-GCMX040B120S1-E1

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter