Tillverkare Produktnummer:
GCMS040B120S1-E1
Product Overview
Tillverkare:
SemiQ
DiGi Electronics Delenummer:
GCMS040B120S1-E1-DG
Beskrivning:
SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 57A (Tc) 242W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Inventarier:
65 Pcs Ny Original I Lager
12993113
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
GCMS040B120S1-E1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
SemiQ
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
20V
rds på (max) @ id, vgs
52mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
124 nC @ 20 V
Vgs (max)
+25V, -10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3110 pF @ 1000 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
242W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Chassis Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-227
Paket / Fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Grundläggande produktnummer
GCMS040
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
10
Andra namn
1560-GCMS040B120S1-E1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIHP15N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
SQJ174EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
PSMN1R4-40YLD/1X
MOSFET
