Tillverkare Produktnummer:
GPI65005DF
Product Overview
Tillverkare:
GaNPower
DiGi Electronics Delenummer:
GPI65005DF-DG
Beskrivning:
GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 5A Surface Mount Die
Inventarier:
167 Pcs Ny Original I Lager
12972698
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
GPI65005DF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
GaNPower
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
GaNFET (Gallium Nitride)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5A
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 1.75mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
2.6 nC @ 6 V
Vgs (max)
+7.5V, -12V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
45 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
-
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
Die
Paket / Fodral
Die
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
1
Andra namn
4025-GPI65005DFTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
Not applicable
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
PJD2NA90_L2_00001
900V N-CHANNEL MOSFET
PJF12NA60_T0_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
FDP075N15A-F032
MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
