SSP2N60B
Tillverkare Produktnummer:

SSP2N60B

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

SSP2N60B-DG

Beskrivning:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220

Inventarier:

372000 Pcs Ny Original I Lager
12938621
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SSP2N60B Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
490 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
54W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3

Datablad och dokument

Datablad
Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
1,664
Andra namn
FAIFSCSSP2N60B
2156-SSP2N60B

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

SSP1N60B

N-CHANNEL POWER MOSFET

motorola

MTD3N25E

N-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

NP22N055HLE-AY

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

SSU2N60BTU

N-CHANNEL POWER MOSFET