Tillverkare Produktnummer:
RFD4N06LSM9A
Product Overview
Tillverkare:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
RFD4N06LSM9A-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 4A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventarier:
67132 Pcs Ny Original I Lager
12816900
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RFD4N06LSM9A Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
5V
rds på (max) @ id, vgs
600mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (max)
±10V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
30W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252 (DPAK)
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
533
Andra namn
2156-RFD4N06LSM9A
FAIFSCRFD4N06LSM9A
2156-RFD4N06LSM9A-FSTR-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
PMFPB8040XP,115
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
HUF75344S3ST
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
FQP44N08
MOSFET N-CH 80V 44A TO220-3
