Tillverkare Produktnummer:
RF1S50N06SM9A
Product Overview
Tillverkare:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
RF1S50N06SM9A-DG
Beskrivning:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 131W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Inventarier:
9898 Pcs Ny Original I Lager
12937612
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RF1S50N06SM9A Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
22mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 20 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2020 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
131W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263AB
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
317
Andra namn
2156-RF1S50N06SM9A
FAIFSCRF1S50N06SM9A
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SFR9120TF
P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA1872GR-9JG-E1-A
N-CHANNEL POWER MOSFET
MTB60N05HDL
N-CHANNEL POWER MOSFET
