NDS356AP-NB8L005A

Tillverkare Produktnummer:

NDS356AP-NB8L005A

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

NDS356AP-NB8L005A-DG

Beskrivning:

-30V P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHAN

Detaljerad beskrivning:

P-Channel 30 V 1.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventarier:

83726 Pcs Ny Original I Lager

12968080

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

NDS356AP-NB8L005A Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Förpackning

Bulk

Serie

-

Produktens status

Active

FET-typ

P-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

30 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

1.1A (Ta)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

4.5V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

200mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

4.4 nC @ 5 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

280 pF @ 10 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

500mW (Ta)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

SOT-23-3

Paket / Fodral

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

NDS356AP-NB8L005A

HTML-Datasheet

NDS356AP-NB8L005A-DG

Ytterligare information

Standard-paket

1,576

Andra namn

2156S356AP-NB8L005A-600039

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

Vendor Undefined

REACH Status

REACH Unaffected

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

nexperia

BUK9515-100A127

NEXPERIA BUK9515-100A - POWER FI

NTNS3CS94NZT5G

2.8A, 20V, 0.09OHM, N-CHANNEL MO

nxp-semiconductors

BUK7660-100A,118

NEXPERIA BUK7660 - N-CHANNEL TRE

transphorm

TP65H035G4WSQA

650 V 46.5 GAN FET