IRFS634B_FP001
Tillverkare Produktnummer:

IRFS634B_FP001

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

IRFS634B_FP001-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220F
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 250 V 8.1A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventarier:

6000 Pcs Ny Original I Lager
12816857
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRFS634B_FP001 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
250 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.1A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
450mOhm @ 4.05A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
38W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220F-3
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack

Datablad och dokument

Datablad
IRFS634B_FP001

Ytterligare information

Standard-paket
606
Andra namn
2156-IRFS634B_FP001-FS
FAIFSCIRFS634B_FP001

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FQPF8N60CYDTU

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F-3

fairchild-semiconductor

FDN372S

MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3

fairchild-semiconductor

NDB603AL

MOSFET N-CH 30V 25A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDS6162N7

MOSFET N-CH 20V 23A 8SO