Tillverkare Produktnummer:
IRFS530A
Product Overview
Tillverkare:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
IRFS530A-DG
Beskrivning:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 10.7A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventarier:
4315 Pcs Ny Original I Lager
12932562
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFS530A Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10.7A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
110mOhm @ 5.35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
790 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
32W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220F
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
666
Andra namn
2156-IRFS530A
FAIFSCIRFS530A
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
HUF75344P3_NL
N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK2511-A
N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3114-S17-AZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
