IRF710B
Tillverkare Produktnummer:

IRF710B

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

IRF710B-DG

Beskrivning:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 400 V 2A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220

Inventarier:

31593 Pcs Ny Original I Lager
12933462
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRF710B Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
400 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
3.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
330 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
36W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3

Datablad och dokument

Datablad
Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
1,664
Andra namn
FAIFSCIRF710B
2156-IRF710B

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

HUF76432S3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

harris-corporation

IRF831

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

HUF76132S3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

infineon-technologies

BSC091N03MSCG

N-CHANNEL POWER MOSFET